蝕刻工序。除去前道光刻工序所指定的細微部分，形成回路模式的工序稱之為蝕刻工序。在此工序中，有使用液體的濕式蝕刻法和使用氣體的干式蝕刻法?，F(xiàn)在以能滿足回路模式細微化要求的干式蝕刻法為主流。特別是等離子干式蝕刻法已成為主流，其裝置概略如圖所示。這里所使用的炭素產(chǎn)品有等離子發(fā)生用的上下石墨電極板，同時兼用作蝕刻氣體整流用的吹氣板，和防止等離子擴散用的聚焦環(huán)。如圖所示，用于石墨電極板的材料有多種，一般根據(jù)所用的蝕刻對象和使用的氣體而選擇。

離子注入裝置（接雜）。所謂離子注人就是以極高的速度將被加速的離生入書導體基板中，使用p型或口型離子不純物即可生成p或n層。裝置概略如圖所示。由于離子被高能量加速，其中極少的離子會撞擊裝置的金屬內(nèi)壁，而被撞擊出的金屬壁離子會污染硅片，為了保護離子束通過的通道內(nèi)壁、卡固離子束的石墨電極板和偏向電極部分，也使用石墨電極板。離子束撞擊部位（如離子束擋銷）的溫度高達2000℃，從耐高溫、抗熱沖擊的角度而言，石墨部件也不可或缺。

石墨電極板形成工藝。在真空狀態(tài)下使與電極配線薄膜同樣的材料使之蒸發(fā)，鍍著于位置上與其相對的基板上的方法稱為PVD(物理氣相蒸鍍）技術(shù)。PVD技術(shù)有真空蒸鍍法，濺射法和離子噴鍍法3種。其中使用石墨部件的是電子束真空蒸鍍法，如圖所示其方法是在石墨坩塌(Hearth Liner)中用熱電子將蒸鍍物質(zhì)（主要為鋁）加熱蒸發(fā)。但是，現(xiàn)在的半導體工藝以濺射裝置為主流，不使用石墨部件。現(xiàn)在的ISI工藝也不采用離子噴鍍法。