對(duì)于電影的測(cè)量，一般的測(cè)量工具都無(wú)法做到這一點(diǎn)，在這個(gè)時(shí)候精密測(cè)量就顯得尤為重要。的介質(zhì)的品種，并在電子工業(yè)的金屬薄膜半導(dǎo)體，光學(xué)和化學(xué)工業(yè)已被廣泛應(yīng)用。該膜的厚度對(duì)設(shè)備或儀器的性能有直接影響。例如，厚度和硅微電路的介電層的組合物中，以半導(dǎo)體行業(yè)非常重要的，這些層的厚度將集成電路的性能和可靠性期間確定。

采用一個(gè)平面設(shè)計(jì)工藝技術(shù)制造的集成系統(tǒng)電路，通常在硅襯底或硅片上有這樣一層熱生長(zhǎng)的二氧化硅絕緣層，這薄薄的二氧化硅介質(zhì)層使得硅襯底的表面態(tài)密度影響降到最小，并且可以通過(guò)有效防止PN結(jié)吸收沾污氣而使硅表面形成穩(wěn)定。

在MOS器件中，二氧化硅層的厚度決定了這一時(shí)期的開(kāi)路電壓。 硅片上某一區(qū)域過(guò)厚的氧化硅層會(huì)導(dǎo)致該區(qū)域的開(kāi)啟電壓增加，甚至硅片上二氧化硅厚度的微小變化會(huì)導(dǎo)致元件失配，從而降低器件的心理復(fù)雜性。 因此，在線(xiàn)監(jiān)測(cè)和控制各種膜厚測(cè)量機(jī)的生產(chǎn)過(guò)程，以提供高靈敏度和高精度是更重要的。

它已經(jīng)進(jìn)入的膜厚度范圍從納米微米。一種集成電路，例如，各種膜已被純化約為10nm至100nm到材料結(jié)構(gòu)的研究已經(jīng)幾乎水平為0.1nm。從微米到納米各種，大分類(lèi)測(cè)量膜厚度的方法：

1、 機(jī)械法：稱(chēng)量法、機(jī)械探針?lè)ā⒐鈱W(xué)工程機(jī)械法及磨角染色測(cè)微法等。

2.電法：磨角電探針?lè)ǎ娮璺?，電容電感法，晶體振蕩法和電子射線(xiàn)法等..

3，光電方法：光電最大方法（增稠，可變角，可變波長(zhǎng)），干涉全息攝影法，X射線(xiàn)法和掃描電子顯微鏡，俄歇電子能譜，和類(lèi)似物。

上面進(jìn)行介紹的這些研究方法中，最常用的方法是光電法，其中有我們很多教學(xué)方法其精確度都可以可以達(dá)到納米級(jí)的精度。

稱(chēng)重法可檢測(cè)各種膜厚，精度高，量程大的測(cè)量大面積膜，并可通過(guò)鍍邊實(shí)現(xiàn)自動(dòng)監(jiān)測(cè)，仍用于振動(dòng)鍍膜過(guò)程.. 機(jī)械探針?lè)梢杂酶軛U放大器和電子放大器測(cè)量。 該方法具有亞微米級(jí)精度和較大的測(cè)量范圍，但膜層需要開(kāi)槽檢測(cè)。

進(jìn)行與未涂覆的光學(xué)比較器比較直接在基板的讀取厚度，由于光學(xué)變焦桿機(jī)構(gòu)，可測(cè)的0.1微米的厚度。細(xì)長(zhǎng)的電阻絲可以與基準(zhǔn)板，基準(zhǔn)片材長(zhǎng)度，一定寬度，并且與其它方法的薄層電阻的電鍍厚度的預(yù)測(cè)相反的關(guān)系被鍍，可以通過(guò)電阻的厚度直接給出，它可以被鍍側(cè)邊緣測(cè)量，有效精度。點(diǎn)探針?lè)稍陔娮璧暮穸葋?lái)測(cè)量出面。磨角電探針染色方法和通過(guò)一個(gè)小的角度被測(cè)量坡口研磨。

染色技術(shù)或者電探針則是企業(yè)為了重要指示膜層與基片的分界線(xiàn)。對(duì)于學(xué)生測(cè)量PN結(jié)的寬度很有可能使用時(shí)間價(jià)值，但精度要求不高。電容法是用來(lái)測(cè)價(jià)質(zhì)膜。電感法是測(cè)量金屬鍍層的。