薄膜在各種不同介質(zhì)、半導(dǎo)體和金屬上，廣泛的應(yīng)用于企業(yè)電子技術(shù)工業(yè)、光學(xué)工業(yè)和化學(xué)發(fā)展工業(yè)。膜層的厚度以及對(duì)于一個(gè)器件工作或者通過(guò)儀器的性能有很直接的影響。例如，用于硅微型控制電路的介質(zhì)層的厚度和成分，對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)設(shè)計(jì)具有一定很大的重要性，這些膜層的厚度將決定系統(tǒng)集成管理電路期間的性能和可靠性。

平面工藝制備的集成電路通常在硅襯底或硅片上具有加熱的二氧化硅絕緣層。 這種薄的二氧化硅介電層最小化了硅襯底的表面態(tài)密度，并通過(guò)防止結(jié)吸收受污染的氣體來(lái)穩(wěn)定硅表面。

如果生產(chǎn)過(guò)程中，要測(cè)量的膜的厚度，其方法采用它？下面就來(lái)具體介紹。存在用于從納米到微米的厚度測(cè)量的各種膜的許多方法中，分類(lèi)是：

（1） 機(jī)械法：稱(chēng)量法、機(jī)械探針?lè)?、光學(xué)工程機(jī)械法及磨角染色測(cè)微法等。

光學(xué)方法：磨角電探針?lè)?、電阻法、電容電感法、晶體振蕩法和電子射線(xiàn)法。

（3）的光學(xué)方法：光電最大方法（增稠，可變角，可變波長(zhǎng)），干涉偏振法，全息方法中，X射線(xiàn)和掃描電子顯微鏡法。

以上分析這些研究方法中以光電法的應(yīng)用最為普遍，其中不少方法我們可以通過(guò)達(dá)到納米級(jí)的精度。

稱(chēng)重法可檢測(cè)各種膜厚，對(duì)大面積膜的測(cè)量精度高，量程大，可通過(guò)邊緣鍍實(shí)現(xiàn)自動(dòng)健康，因此仍用于真空鍍膜的加工工藝..

機(jī)械探針?lè)膳c放大器和杠桿被測(cè)量電子放大器一起使用，這種方法是繁瑣的具有亞微米和測(cè)量的更高的精確度，但需要以檢測(cè)膠卷槽。

用光學(xué)比較儀于無(wú)鍍層基片材料進(jìn)行分析比較可以直接讀出膜厚，由于企業(yè)采用傳統(tǒng)光學(xué)杠桿作用放大金融機(jī)構(gòu)，可測(cè)出0.1微米的膜厚。線(xiàn)電阻法可鍍細(xì)長(zhǎng)參考片，參考片的長(zhǎng)度、寬度沒(méi)有固定，并以中國(guó)其他研究方法能夠預(yù)測(cè)出鍍片膜厚與電阻的反比關(guān)系，即可由電阻產(chǎn)生直接影響給出不同厚度，故可邊鍍邊測(cè)，有較高的精度。電探針可測(cè)出電阻換算出膜厚。

磨角電探針?lè)ê湍ソ侨旧ㄊ峭ㄟ^(guò)磨出小角度來(lái)測(cè)量的.. 染色或電探針的目的是指示膜和底物之間的分界線(xiàn)。 用于測(cè)量PN結(jié)的寬度，但精度不高。 電容法測(cè)量?jī)r(jià)質(zhì)膜，電感法可以測(cè)量金屬鍍層..

光電最大的方法是工業(yè)上常用的一種方法中，半導(dǎo)體行業(yè)可以用來(lái)測(cè)量氧化膜，氮化硅膜，鐵板的膜，膠乳膜的膜厚度?？勺兒穸冗吘壒怆娮畲箦兎梢詼y(cè)量的邊緣，垂直入射單色光可用于透射測(cè)量或反射測(cè)量。