對(duì)于光刻工藝是制造的微細(xì)高密度的復(fù)雜的圖形組成，等高精度的微機(jī)械細(xì)紋的主集成電路的方法中的一個(gè)。這是一個(gè)重要的手段納米工藝制造。其原理是相似的光刻光刻，這是一個(gè)關(guān)鍵的技術(shù)掌握，曝光和蝕刻。

光刻技術(shù)加工企業(yè)可以發(fā)展分為以下兩個(gè)不同階段，對(duì)鉤網(wǎng)介紹說(shuō)，第一階段是原版制作，生成微細(xì)結(jié)構(gòu)復(fù)雜環(huán)境圖形的工作原版或工作掩膜，為光刻加工時(shí)用；第二階段是光刻。

第一階段：原始作品的制作

1、 原圖繪制

設(shè)計(jì)圖紙，在與上稱為刻紅膜中的圖案化的材料，一般比最終希望的圖像大的刀繪圖儀放大數(shù)次。

2、 縮版、殖版制作

將原圖用縮放機(jī)縮成規(guī)定的尺寸，即成縮版?？s版視原圖進(jìn)行放大倍數(shù)有時(shí)要多次出現(xiàn)重復(fù)不斷縮小我們才能發(fā)展得到。如果要大量企業(yè)生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)同一形狀制品，可用縮圖在分布可以重復(fù)照相機(jī)上制成具有多個(gè)想吐圖形排列的殖版。

3.工作原件或工作面具制作

簡(jiǎn)化版本，定植的平版板可直接加工，但通常保持作為主，但施工從主副本版本形成成為原始光刻時(shí)，掩模或作業(yè)變得原來(lái)的工作。

原版的制作時(shí)光刻工藝加工企業(yè)技術(shù)的關(guān)鍵，其尺寸進(jìn)行精度、圖象對(duì)比度、照片濃淡、深淺等都將可以直接產(chǎn)生影響包括光刻加工的質(zhì)量。

第二階段：光刻

1、 涂膠

將光刻膠涂在半導(dǎo)體襯底的氧化膜上的過(guò)程稱為涂層.. 光刻膠可分為正膠和負(fù)膠，在開(kāi)發(fā)圖中去除被照亮部分的膠層，形成“窗口”為負(fù)膠，反之亦然為正膠。 涂層要求厚度和厚度均勻，常用的涂層方法包括旋轉(zhuǎn)（離心）傾倒、浸漬、噴涂和印刷。 特殊設(shè)備。

2、 曝光

從光致抗蝕劑通過(guò)形成掩模工作，即曝光涂覆光源發(fā)射的光束。這種曝光被稱為投影曝光，也被稱為復(fù)制。公共源極的電子束，X射線，遠(yuǎn)紫外射線，離子束等。的曝光光束也聚焦為微小光點(diǎn)，通過(guò)數(shù)字掃描，繪圖光致抗蝕劑涂層上形成圖案，稱為掃描曝光。又稱寫(xiě)的地圖。這種預(yù)曝光不原創(chuàng)作品，而是要設(shè)計(jì)出準(zhǔn)備掃描跟蹤程序。公共源極的電子束，離子束。

3、 顯影與烘片 

（1） 顯影：曝光后的光致抗腐蝕劑，其分子進(jìn)行結(jié)構(gòu)發(fā)展產(chǎn)生學(xué)習(xí)化學(xué)環(huán)境變化，在特定溶劑或水中的溶解度也不同，利用網(wǎng)絡(luò)曝光區(qū)和非曝光區(qū)的這一文化差異，可在一個(gè)特定溶劑中把曝光圖形設(shè)計(jì)呈現(xiàn)不斷出現(xiàn)，這就是顯影。

（2）烘焙：一些光刻膠在干燥后發(fā)展，進(jìn)行高溫處理，使其發(fā)生熱聚合以提高強(qiáng)度，稱為烘焙。

4、 刻蝕

通過(guò)化學(xué)或物理方法，所述試劑是未光氧化膜去除部分，稱為蝕刻。有蝕刻的許多方法，化學(xué)蝕刻，離子蝕刻，電解蝕刻等。

刻蝕技術(shù)不僅是沿厚度研究方向，而且也可沿橫向發(fā)展進(jìn)行，稱之為一個(gè)側(cè)面刻蝕。側(cè)面刻蝕越小，刻蝕相關(guān)系數(shù)越來(lái)越大，制品結(jié)構(gòu)尺寸計(jì)算精度就越高，精度以及穩(wěn)定性質(zhì)量越好。由于有側(cè)面刻蝕的現(xiàn)象，使刻蝕成的窗口比光致抗蝕劑窗口大，因此在設(shè)計(jì)時(shí)要進(jìn)行分析修正。

5、 剝膜與檢查

（1）剝膜：從剝膜液中除去光刻膠稱為剝膜。

（2）檢查：汽提后，工件會(huì)被洗凈，修剪，檢查外觀，條帶大小，粒度，端部形狀，房屋性能，一些血液性能的質(zhì)量。